LED外延片是一块加热至适当温度的衬底基片，材料是半导体照明产业技术发展的基石。不同的衬底材料，需要不同的LED外延片生长技术、芯片加工技术和器件封装技术，衬底材料决定了半导体照明技术的发展路线。
LED外延片生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和、SiC、Si)上，气态物质InGaAlP有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前LED外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法。
LED外延片衬底材料是半导体照明产业技术发展的基石。不同的衬底材料，需要不同的LED外延片生长技术、芯片加工技术和器件封装技术，衬底材料决定了半导体照明技术的发展路线。
LED芯片制造主要是为了制造有效可靠的低欧姆接触电极，并能满足可接触材料之间较为小的压降及提供焊线的压垫，同时尽可能的多地出光。
渡膜工艺一般用真空蒸镀方法，4Pa高真空下，用电阻加热或电子束轰击加热方法使材料熔化，并在低气压下BZX79C18变成金属蒸气沉积在半导体材料表面。
一般所用的P型接触金属包括AuBe、AuZn等合金，N面的接触金属常采用AuGeNi合金。
镀膜后形成的合金层还需要通过光刻工艺将发光区尽可能多地露出来，使留下来的合金层能满足有效可靠的低欧姆接触电极及焊线压垫的要求。
光刻工序结束后还要通过合金化过程，合金化通常是在H2或N2的保护下进行。
合金化的时间和温度通常是根据半导体材料特性与合金炉形式等因素决定。
当然若是蓝绿等芯片电极工艺还要复杂，需增加钝化膜生长、等离子刻蚀工艺等。
LED芯片的尺寸常识：
按外形分类，芯片一般分为圆片和方片。其中圆片相对较低档，性能不够稳定，我司一般不采用圆片生产的LED；方片一般以尺寸大小来衡量，比如12 mil (1 mil =0.0254平方毫米)。一般来说，同一品牌的芯片，芯片尺寸越大，亮度越高。
LED的颜色常识：
LED的不同颜色是由其不同波长的芯片决定的，比如，红光芯片一般波长是620~630nm （纳米），绿光芯片一般波长是527nm, 蓝光芯片的一般波长是470nm, 黄光芯片的一般波长是585nm, 白光LED用的也是蓝光芯片，只是在蓝光芯片上加上适量的的荧光粉就发出白光了。
LED的分类：
按功率大小分：可分为小功率，大功率 （行业上一般把0.5W 以上的灯叫做大功率灯）
按外形分：可分为直插式和贴片式
草帽LED又可以按灯头的尺寸细分为F3（灯头的直径是3mm），F5（灯头的直径是5mm）； 或按灯头的形状细分为无边，薄边，厚边，圆头；按灯头透明与否可分为透明，雾状。更多细分方法不尽列举，以上所列仅以我司经常采用为依据。
食人鱼LED同样可以按灯头的尺寸分为F3，F5，按灯头的形状分为圆头（即常见的食人鱼灯），平头（这种形头很特殊，其发光角度接近180度，一般用在需要散光的场合）。
晶元芯片灯珠真伪辨别方法大全
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