隐裂、热斑、PID效应，是影响晶硅光伏组件性能的三个重要因素。
形成“隐裂”的原因
外力：电池片在焊接、层压、装框或搬运、安装、施工等过程中会受外力，当参数设置不当、设备故障或操作不当时会造成隐裂。
高温：电池片在低温下没有经过预热，然后在短时间内突然受到高温后出现膨胀会造成隐裂现象，如焊接温度过高、层压温度等参数设置不合理。
原材料：原材料的缺陷也是导致隐裂的主要因素之一。
外围设备
在电池片生产过程中，还需要供电、动力、给水、排水、暖通、真空、特汽等外围设施。消防和环保设备对于保证安全和持续发展也显得尤为重要。一条年产50MW能力的太阳能电池片生产线，仅工艺和动力设备用电功率就在1800KW左右。工艺纯水的用量在每小时15吨左右，水质要求达到中国电子级水GB/T11446.1-1997中EW-1级技术标准。工艺冷却水用量也在每小时15吨左右，水质中微粒粒径不宜大于10微米，供水温度宜在15-20℃。真空排气量在300M3/H左右。同时，还需要大约氮气储罐20立方米，氧气储罐10立方米。考虑到特殊气体如的安全因素，还需要单独设置一个特气间，以保证生产安全。另外，燃烧塔、污水处理站等也是电池片生产的必备设施。
芯片的背部减薄制程
1. Grinding制程：
对外延片以Lapping的方式虽然加工品质较好，但是移除率太低，也只能达到3um/min左右，如果全程使用Lapping的话，加工就需耗时约2h，时间成本过高。目前的解决方式是在Lapping之前加入Grinding的制程，通过钻石砂轮与减薄机的配合来达到快速减薄的目的。
2. Lapping制程
减薄之后再使用6um左右的多晶钻石液配合树脂铜盘，既能达到较高的移除率，又能修复Grinding制程留下的较深刮伤。一般来说切割过程中发生裂片都是由于Grinding制程中较深的刮伤没有去除，因此此时对钻石液的要求也比较高。
除了裂片之外，有些芯片厂家为了增加芯片的亮度，在Lapping的制程之后还会在外延片背面镀铜，此时对Lapping之后的表面提出了更高的要求。虽然有些刮伤不会引起裂片，但是会影响背镀的效果。此时可以采用3um多晶钻石液或者更小的细微性来进行Lapping制程，以达到更好的表面品质。
目前，新能源在世界上的比重不断增加，低清洁能力的传统发电厂将被关闭。世界将使用发电站和燃气发电站作为相对稳定的能源。通过调度，将引入水电、光伏、风力和沼气发电等一系列新能源。同时，热电联产技术的发展和应用将会增加，能源技术，特别是新能源技术和储能技术的发展将会不断提高。在未来，我们从自然界获取的能源将不再消耗可再生资源，因此投资将不再是为了盈利，而是成为每个人受益的渠道。以上是我对投资的一些肤浅想法。欢迎与大型咖啡机交流。
多晶硅光伏组件回收
单晶硅光伏组件回收
实验板光伏组件回收